LAB
LAB
Das experimentelle Prozessoptimieren ist sehr zeit- und kostenaufwändig. Die Lithografiesimulation ermöglicht den Zugriff auf zahlreiche virtuelle Versuchsergebnisse in kurzer Zeit und damit eine erhebliche Reduzierung der Entwicklungskosten und der Markteinführungszeit durch die schnelle virtuelle Erkundung eines großen Parameterraums.
LAB ermöglicht die Modellierung von Proximity-, Projektions-, Laser- und Elektronenstrahllithografie für Anwendungen wie IC-Herstellung, Flachbildschirme, LED, MEMS, 3D-Packaging, Maskenherstellung und Nanofabrikation. Die schnelle und genaue Berechnung des Intensitätsbildes ermöglicht die Layout-Optimierung mittels Rule-OPC und Model-OPC, die Überprüfung des Maskenlayouts, die Stapeloptimierung und die Analyse von Prozessfenstern (z. B. Spalt oder Defokus und Variation der Belichtungsdosis).
Tausende von Experimenten können „über Nacht“ berechnet werden, ohne dass Masken hergestellt oder Wafer „gebrannt“ werden müssen. Sobald ein guter Bildkontrast erreicht ist, ermöglicht die 3D-Modellierung der Lackentwicklung eine weitere Optimierung der Lackprofile.
Näherungslithographie (Mask Aligner)
Die Intensität in beliebigen Abständen zwischen Maske und Wafer, vom Kontakt bis zur Annäherung, wird mit Hilfe des Rayleigh-Sommerfeld-Integrals berechnet, das alle von der Maske gestreuten Beugungsordnungen berücksichtigt.
- Modelliert Reflexions- und Brechungseffekte in der Proximity-Lithographie, z. B. bei großflächigen Proximity-Druckern, FPD-Farbfilter-Belichtungsgeräten und Maskenausrichtern
- Jeder Quellentyp mit beliebigem Spektrum und beliebiger Form, z. B. Breitband-Quecksilberlampe, Laser, Kollimationswinkel und benutzerdefinierte Quellenformen
- Ermöglicht Source Shaping und Source Mask Optimization (SMO) zur Auflösungsverbesserung
- Unterstützung für SÜSS MO Exposure Optics®,
- Binäre, Graustufen- oder Phasenverschiebungsmasken
- Beliebige Substratmaterialien, Beschichtungen, Widerstände und Topografien
- Widerstandsprofil-Simulation im Bereich über 100 um
ProSEM analysiert Ihre REM-Bilddateien und liefert Ihnen schnelle, konsistente Merkmalsmessungen für Ihre Prozesskalibrierungs- und Überwachungsaufgaben.