L’ottimizzazione dei processi sperimentali richiede molto tempo e denaro. La simulazione litografica consente di accedere a un gran numero di risultati sperimentali virtuali in un breve lasso di tempo, riducendo notevolmente i costi di sviluppo e il time-to-market grazie alla rapida esplorazione virtuale di un gran numero di parametri.
LAB consente di modellare la litografia di prossimità, a proiezione, laser e a fascio di elettroni, per applicazioni quali la produzione di circuiti integrati, i display a schermo piatto, i LED, i MEMS, il packaging 3D, la realizzazione di maschere e la nanofabbricazione. Il calcolo rapido e accurato delle immagini di intensità consente di ottimizzare il layout tramite Rule-OPC e Model-OPC, di verificare il layout delle maschere, di ottimizzare gli strati e di analizzare le finestre di processo (ad esempio, deviazione o defocus e variazione della dose di esposizione).
È possibile calcolare migliaia di esperimenti in una notte, senza dover produrre maschere o bruciare i wafer. Una volta ottenuto un buon contrasto d’immagine, la modellazione 3D dello sviluppo del fotoresist permette di ottimizzare ulteriormente i profili del fotoresist.
Litografia di prossimità (allineatore di maschere)
L’intensità a distanze arbitrarie tra maschera e wafer, dal contatto alla prossimità, viene calcolata utilizzando gli integrali di Rayleigh Sommerfeld, che tengono conto di tutti gli ordini di diffrazione diffusi dalla maschera.
Tradotto con DeepL.com (versione gratuita)
ProSEM analizza i file di immagine del SEM e fornisce misure di caratteristiche rapide e affidabili per le attività di calibrazione e monitoraggio dei processi.
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